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Trasformatori di Gate Drive ausiliari ad alta potenza

I trasformatori di gate drive ausiliari ad alta potenza (WE-AGDT) di Würth Elektronik presentano un fattore di forma EP7 e sono ottimizzati per applicazioni di driver di porta MOSFET SiC ad alta velocità fino a 6 W di potenza. Questa serie raggiunge un’elevata immunità ai transitori di modo comune (CMTI) con valori nominali fino a 100 V/ns e migliori prestazioni EMI. La serie EP7 di tipo WE-AGDT soddisfa anche l’isolamento di base, in conformità con gli standard di sicurezza IEC 61558-2-16 e 62368-1. Le uscite unipolari e bipolari rendono questi trasformatori adatti per alimentare driver di porta MOSFET SiC all’avanguardia fino a 6 W di potenza, nonché IGBT e MOSFET di potenza. I trasformatori di gate drive ausiliari ad alta potenza Würth Elektronik sono progettati per una topologia flyback regolata sul lato primario per offrire una soluzione compatta e affidabile.