MRFX Series 65V LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRFX Series 65V LDMOS Transistors offer high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These transistors feature high power density, lower current losses, high efficiency, easier matching to 50Ω, wide safety margin, and negligible magnetic radiation. The higher power density, low current, and high safety margin enable highly reliable and more integrated industry 4.0 systems with better energy management.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor Tecnologia Id - corrente di drain continua Vds - Tensione di rottura drain-source Frequenza di lavoro Guadagno Potenza di uscita Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Stile di montaggio Package/involucro Confezione
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape