Toshiba Transistor RF bipolari

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Serie
Tipo di transistor
Tecnologia
Polarità transistor
Frequenza di lavoro
Collettore DC/Guadagno base hfe Min
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione emettitore-base VEBO
Corrente continua collettore
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Configurazione
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
Toshiba Transistor RF bipolari RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Scheda dati
2.169A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

MT3S113TU Bipolar SiGe NPN 11.2 GHz 200 5.3 V 600 mV 100 mA + 150 C Single SMD/SMT UFM-3 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor RF bipolari RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
Scheda dati
867A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor RF bipolari Radio-frequency Bipolar Transistor
Scheda dati
2.865A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel