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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Scheda dati
1.532A magazzino
1.50019/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Scheda dati
1.749A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Scheda dati
10.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape