Vishay IRFBC Serie MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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1.518A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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1.895A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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1.920A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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546A magazzino
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Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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1.053A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
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256A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
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846A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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502A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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787A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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453A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 2.2A N-CH
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1.944A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 3.6A N-CH
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
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437A magazzino
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET
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Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
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Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
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Si Through Hole TO-262-3 Tube