Toshiba MOSVII MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 5.5 A 1.35 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 1.4 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5.5 A 1.48 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
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Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
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Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
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Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 9 A 770 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
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Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 830 mOhms 45 W MOSVII Tube