Toshiba DTMOSIV MOSFET

Risultati: 112
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
5A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Scheda dati
50A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Scheda dati
85A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Scheda dati
13A magazzino
5016/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Scheda dati
25A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Scheda dati
40A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Scheda dati
25A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Scheda dati
104A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Scheda dati
10A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Scheda dati
169A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Scheda dati
197A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
86A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Scheda dati
44A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
114A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
Scheda dati
719A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
446A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Scheda dati
144A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Scheda dati
8915/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Scheda dati
3020/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube