Toshiba MOSVII MOSFET

Risultati: 69
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
Scheda dati
5A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
Scheda dati
19A magazzino
800In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 7.5 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
Scheda dati
244A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Scheda dati
337A magazzino
25016/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Scheda dati
233A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 840 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
Scheda dati
200A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 8.5 A 860 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
Scheda dati
15026/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
Scheda dati
149In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.5 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 200

Si Through Hole PW-Mold2-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 10 A 720 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 600 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 520 mOhms 25 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 12 A 520 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 12 A 580 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 12 A 570 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 13 A 460 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 400 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13.5 A 480 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 102 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 14 A 370 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 16 A 330 mOhms 50 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 2.45 Ohms 30 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 1.88 Ohms 35 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.9 Ohms 35 W MOSVII