Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Serie
Confezione
IXYS Moduli MOSFET 155A 250V
Scheda dati
261A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 168 A 12.9 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN180N25 Tube
IXYS Moduli MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Scheda dati
538A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN420N10 Tube
IXYS Moduli MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
Scheda dati
12A magazzino
30006/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 130 A 19 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN160N30 Tube
IXYS Moduli MOSFET 360 Amps 100V
Scheda dati
1.385In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN360N10 Tube
IXYS Moduli MOSFET 230A 200V
Scheda dati
36804/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube