OptiMOS P Serie MOSFET

Risultati: 5
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P 2.439A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3.645A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 14.9 A 10.3 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 66 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 1.752A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3.042A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 6.7 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel