Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 60V 20A
Scheda dati
4.549A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8G N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 2A DUAL CH
Scheda dati
17.338A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 2 A, 1 A 207 mOhms, 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
Scheda dati
5.892In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 100 V 1 A 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape