EEPROM bus I2C 125°C per il settore automobilistico 2-Wire

Le EEPROM BUS I 125 °C l2C di ROHM Semiconductor per il settore automobilistico 2-Wire sono conformi alle qualifiche AEC-Q100. Le EEPROM BUS I2C ROHM presentano due porte di clock seriale (SCL) e dati seriali (SDA) attraverso cui sono disponibili tutti i controlli. EEPROMs opera da un ampio limite da 1,7 V a 5,5 V, con un possibile funzionamento a 1 MHz.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5 mOhms 20 V 2.5 V 19.1 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
Scheda dati
772A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.3 mOhms 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape