Inductive Wireless Charging - In-Car Charging

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging - In-Car Charging allows for placing devices in a designated area to charge without a wired connection. Automotive inductive wireless charging is growing in the next generation of cars. In fact, it’s predicted that most cars will have the feature in the very near future.

Risultati: 13
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
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20.618A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 29 mOhms, 29 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
Scheda dati
16.413A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_55/60V
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2.710A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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1.921A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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4.978A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 45 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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4.857A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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5.849A magazzino
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 4.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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10.396A magazzino
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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9.144A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
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6.269A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
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3.054A magazzino
5.000In ordine
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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92A magazzino
5.00010/12/2026 previsto
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
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1.583A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel