Risultati: 10
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Scheda dati
971A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Scheda dati
695A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Scheda dati
1.463A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Scheda dati
102A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Scheda dati
322A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Scheda dati
779A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Scheda dati
297A magazzino
90024/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Scheda dati
6A magazzino
45025/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Scheda dati
92A magazzino
45020/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Scheda dati
23A magazzino
1.350In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement