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TPHR6503PL1,LQ

Name: Toshiba TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR6503PL1LQ
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TPHR6503PL1LQ

N. produttore:

TPHR6503PL1,LQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

Scheda dati:

TPHR6503PL1,LQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,52 €	2,52 €
	1,63 €	16,30 €
	1,11 €	111,00 €
	0,937 €	468,50 €
	0,877 €	877,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,877 €	4.385,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	420 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	410 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	110 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	210 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12 ns
Serie:	UMOS IX-H
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	100 ns
Tipico ritardo di accensione:	36 ns
Alias n. parte:	TPHR6503PL1,LQ(M

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Selection Guide 2024 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 40 V ideali per applicazioni nel settore automobilistico. Questi dispositivi sono alloggiati in un piccolo package SOP Advance (WF) a bassa resistenza. Presentano bassa resistenza in conduzione, che può ridurre la perdita di conduzione. La serie U-MOSIX-H riduce anche il rumore di commutazione rispetto alla serie precedente di Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’(U-MOSIV).