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SICW100N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW100N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW100N065H4-BP
Price: 5.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

833-SICW100N065H4-BP

N. produttore:

SICW100N065H4-BP

Produttore:

Micro Commercial Components (MCC)

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

SICW100N065H4-BP Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,99 €	5,99 €
	4,39 €	43,90 €
	3,55 €	355,00 €
	3,16 €	1.580,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	32 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	130 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	66 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Micro Commercial Components (MCC)
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Transconduttanza diretta - Min:	8.5 S
Confezione:	Bulk
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	17 ns
Quantità colli di fabbrica:	1800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns

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Scheda dati

SICW100N065H4-BP Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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