Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

SICW080N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120H4-BP
Price: 3.59 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

833-SICW080N120H4-BP

N. produttore:

SICW080N120H4-BP

Produttore:

Micro Commercial Components (MCC)

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

SICW080N120H4-BP Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 52 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1800 Multipli: 1800

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,59 €	6.462,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	33 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	134 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	131 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	224 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Micro Commercial Components (MCC)
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	26.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	6.5 S
Confezione:	Bulk
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	64 ns
Quantità colli di fabbrica:	1800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	60 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SICW080N120H4-BP Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SICW0x a canale N SiC da 1.200 V

I MOSFET a canale N SiC SICW0x 1.200 V di Micro Commercial Components amplificano le prestazioni in package versatili TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB. Questi MOSFET presentano un’alta velocità di commutazione con bassa carica del gate, flessibilità di progettazione e affidabilità. I MOSFET SiC da 1.200 V SICW0x includono un ampio intervallo di resistenza in conduzione tipico da 21 mΩ a 120 mΩ e prestazioni affidabili. Questi MOSFET SiC offrono proprietà termiche superiori e un rapido diodo intrinseco per garantire un funzionamento uniforme ed efficiente in condizioni difficili. I MOSFET SiC SICW0x sono disponibili nelle configurazioni a 3 pin e 4 pin (sorgente Kelvin). Le applicazioni tipiche includono azionamenti per motori, apparecchiature per saldatura, alimentatori, sistemi di energia rinnovabile, infrastrutture di ricarica, sistemi cloud e gruppi di continuità (UPS).