Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

SICW050N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW050N065H4-BP
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

833-SICW050N065H4-BP

N. produttore:

SICW050N065H4-BP

Produttore:

Micro Commercial Components (MCC)

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

SICW050N065H4-BP Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4-BP

A magazzino: 355

A magazzino:: 355 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 52 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 355 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,77 €	7,77 €
	5,66 €	56,60 €
	4,71 €	471,00 €
	4,21 €	2.105,00 €
	3,92 €	3.920,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	121 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	250 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Micro Commercial Components (MCC)
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	13.2 S
Confezione:	Bulk
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	17 ns
Quantità colli di fabbrica:	1800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	20 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SICW050N065H4-BP Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

MOSFET al carburo di silicio (SiC) SICWx

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) SICWx di Micro Commercial Components (MCC) sono MOSFET SiC da 650 V ad altà velocità di commutazione. Questi MOSFET utilizzano la tecnologia MOSFET SiC e sono particolarmente adatti per applicazioni ad alta tensione, garantendo un funzionamento affidabile in ambienti industriali difficili. I MOSFET SICWx sono progettati con basso R_{DS (on)}e bassa carica del gate per ridurre le perdite di commutazione e contribuire a una maggiore efficienza complessiva del sistema. Il design che aumenta l’efficienza e il package TO-247 offrono prestazioni termiche superiori, mentre le opzioni a 3 o 4 pin (pin Kelvin-source) migliorano la versatilità. I MOSFET SICWx sono realizzati con un design robusto e sono in grado di consentire una migliore gestione termica ed efficienza. Questi MOSFET sono ideali per alimentatori, telecomunicazioni, sistemi di energia rinnovabile e unità di azionamento motori.