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SICW040N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW040N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW040N120H4-BP
Price: 10.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

833-SICW040N120H4-BP

N. produttore:

SICW040N120H4-BP

Produttore:

Micro Commercial Components (MCC)

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

SICW040N120H4-BP Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	10,38 €	10,38 €
	8,45 €	84,50 €
	7,04 €	704,00 €
	6,28 €	3.140,00 €
	6,10 €	6.100,00 €
	6,04 €	10.872,00 €
5.400	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	62 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	75 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.7 V
Qg - Carica del gate:	229 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	326 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Micro Commercial Components (MCC)
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	15 S
Confezione:	Bulk
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	50 ns
Quantità colli di fabbrica:	1800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	7 ns
Tipico ritardo di accensione:	26 ns

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Scheda dati

SICW040N120H4-BP Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SICW0x a canale N SiC da 1.200 V

I MOSFET a canale N SiC SICW0x 1.200 V di Micro Commercial Components amplificano le prestazioni in package versatili TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB. Questi MOSFET presentano un’alta velocità di commutazione con bassa carica del gate, flessibilità di progettazione e affidabilità. I MOSFET SiC da 1.200 V SICW0x includono un ampio intervallo di resistenza in conduzione tipico da 21 mΩ a 120 mΩ e prestazioni affidabili. Questi MOSFET SiC offrono proprietà termiche superiori e un rapido diodo intrinseco per garantire un funzionamento uniforme ed efficiente in condizioni difficili. I MOSFET SiC SICW0x sono disponibili nelle configurazioni a 3 pin e 4 pin (sorgente Kelvin). Le applicazioni tipiche includono azionamenti per motori, apparecchiature per saldatura, alimentatori, sistemi di energia rinnovabile, infrastrutture di ricarica, sistemi cloud e gruppi di continuità (UPS).