PJL9580_R2_00201

Panjit
241-PJL9580_R2_00201
PJL9580_R2_00201

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Panjit
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
9 A
54 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
10.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: Panjit
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 11 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 14 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 17 ns
Tipico ritardo di accensione: 8.4 ns
Alias n. parte: PJL9580
Peso unità: 83 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).