Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 444.12 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

941-CG2H30070F

N. produttore:

CG2H30070F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Scheda dati:

CG2H30070F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su MACOM CG2H30070F

Avviso di spedizione:

Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.

A magazzino: 32

A magazzino:: 32

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 60

27/04/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 26

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	444,12 €	444,12 €
	388,36 €	3.883,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440224
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	120 V
Id - corrente di drain continua:	12 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	MACOM
Kit di sviluppo:	CG2H30070F-TB1
Guadagno:	12.4 dB
Frequenza di lavoro massima:	4 GHz
Frequenza di lavoro minima:	0 Hz
Potenza di uscita:	70 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V
Peso unità:	10,466 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

CG2H30070F Scheda dati (PDF)

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.