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IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 0.8 EUR
Availability: OutOfStock

N. Mouser:

726-IRFB4620PBFXKMA1

N. produttore:

IRFB4620PBFXKMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IR FET >60-400V

Scheda dati:

IRFB4620PBFXKMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	0,762 €	1.524,00 €
	0,737 €	3.685,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220AB-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	72.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	25 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	144 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	14.8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	37
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	22.4 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	13.4 ns
Alias n. parte:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.