MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

Risultati: 452
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.350A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO 1.192A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms 20 V 2.2 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.200A magazzino
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Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.337A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1.200A magazzino
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.200A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 900A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1.200A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1.405A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.000A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm 1.460A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 5.000A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 10.3 mOhms 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C673NT1G
onsemi MOSFET T6 60V SG 1.500A magazzino
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Si Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C426NWFHT1G
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1.200A magazzino
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP 2.927A magazzino
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Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 2 Channel 30 V 57 A, 165 A - 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V 3 V 7.9 nC, 43 nC - 55 C + 150 C 25 W, 41 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V LFPAK 5X7 2.920A magazzino
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Si SMD/SMT TCPAK-10 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 2.820A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TCPAK57-10 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 1.49 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 40V 200A 43.990A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL 90.534A magazzino
76.50010/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL 8.807A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 5.901A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION 4.239A magazzino
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Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 4.518A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET AFSM T6 60V SG NCH 3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL 25.263A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel