MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

Risultati: 451
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK
3.00003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
9.99825/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000
Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
8.17927/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
1.50003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
6.00015/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
3.00003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
6.00017/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
5.44031/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.9 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.49 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET WIDE SOA
1.45013/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET WIDE SOA
1.50002/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V SG
1.50004/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
2.99302/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 150 C 4.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
2.95013/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
1.50018/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
2.64517/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.50003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
1.50010/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
1.50002/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1.50013/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
1.50026/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS016N06CTAG
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.50003/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS5C680NLTAG
onsemi MOSFET T6 60V LL U8FL
4.47205/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 2.9 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK 12.000Disponibile a magazzino presso produttore
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si LFPAK-8 Reel
onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET 6.000Disponibile a magazzino presso produttore
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si LFPAK-8 Reel