STMicroelectronics MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Scheda dati
1.190A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag
Scheda dati
357A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Scheda dati
290A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 59 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube