JDV2S41AFS,L3M
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Produttore:
Descrizione:
Diodi varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
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Prezzi (EUR)
| Qtà | Prezzo Unitario |
Prezzo esteso
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|---|---|---|
| 1,51 € | 1,51 € | |
| 0,929 € | 9,29 € | |
| 0,615 € | 61,50 € | |
| 0,483 € | 241,50 € | |
| 0,413 € | 413,00 € | |
| 0,374 € | 935,00 € | |
| 0,332 € | 1.660,00 € | |
| 0,321 € | 3.210,00 € | |
| 0,313 € | 7.825,00 € |
Scheda dati
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
- TARIC:
- 8541100000
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- ECCN:
- EAR99
- Paese di origine:
- Thailandia
- Paese di origine dell'assemblaggio:
- Non disponibile
- Paese di diffusione:
- Non disponibile
Italia
