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STGYA50M120DF3

Name: STMicroelectronics STGYA50M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50M120DF3
Price: 4.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGYA50M120DF3

N. produttore:

STGYA50M120DF3

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

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Scheda dati:

STGYA50M120DF3 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,98 €	4,98 €
	3,59 €	35,90 €
	3,26 €	391,20 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	Max247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.1 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	100 A
Pd - Dissipazione di potenza:	535 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	M
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	4,430 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.