Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

ST8L65N050DM9

Name: STMicroelectronics ST8L65N050DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N050DM9
Price: 6.66 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-ST8L65N050DM9

N. produttore:

ST8L65N050DM9

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Completa il tuo progetto

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

ST8L65N050DM9 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics ST8L65N050DM9

A magazzino: 210

A magazzino:: 210 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1 Massimo: 50

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,66 €	6,66 €
	4,70 €	47,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	4,70 €	14.100,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	55 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	35 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	107 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	167 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	167 W
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	80 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

ST8L65N050DM9 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.