STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN High Volt Power
Scheda dati
3.411A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Audio Amplfier
Scheda dati
16.512A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Medium Power
Scheda dati
8.947A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Silicon Trnsistr
Scheda dati
2.810A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Scheda dati
3.616A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Audio Amplifier
Scheda dati
5.248A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Audio Amplfier
Scheda dati
5.668A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Silicon Trnsistr
Scheda dati
2.145A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Audio Amplfier
Scheda dati
3.123A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Audio Amplifier
Scheda dati
6.690A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Silicon Trnsistr
Scheda dati
2.849A magazzino
6.00029/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Silicon Trnsistr
Scheda dati
7.467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Silicon Trnsistr
Scheda dati
6.008A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN General Purpose
Scheda dati
1.854A magazzino
4.00025/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Medium Power
Scheda dati
3.938A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Medium Power
Scheda dati
2.690A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT PNP Medium Power
Scheda dati
2.492A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT High voltage Fast-switching NPN
Scheda dati
1.344A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics Transistor bipolari - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Scheda dati
5.99725/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube