Transistor RF JFET

Risultati: 20
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tipo di transistor Tecnologia Frequenza di lavoro Guadagno Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione di rottura gate-source Id - corrente di drain continua Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Stile di montaggio Package/involucro Confezione
Qorvo Transistor RF JFET 1.60mm Pwr pHEMT 100A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistor RF JFET 0.40 mm Pwr pHEMT 300A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistor RF JFET 0.80mm Pwr pHEMT 100A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistor RF JFET 1.20mm Pwr pHEMT 100A magazzino
Min: 100
Mult.: 100

pHEMT Tray
CEL Transistor RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 140A magazzino
3.00024/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
Qorvo Transistor RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT 200A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistor RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT 100A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistor RF JFET 0.60 mm Pwr pHEMT 100A magazzino
Min: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL Transistor RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 15.329A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 10.000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistor RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2.610A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistor RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12.202A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 15.000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistor RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4.584A magazzino
10.00018/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 10.000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistor RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 20.575A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 15.000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistor RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4.826A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL Transistor RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 22A magazzino
3.00003/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL CE3520K3
CEL Transistor RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 2.270A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs Bulk
CEL Transistor RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 15.000
Mult.: 15.000
: 15.000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistor RF JFET Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistor RF JFET Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM Transistor RF JFET DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 50
Mult.: 50