Ampleon Transistor RF MOSFET

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor Tecnologia Id - corrente di drain continua Vds - Tensione di rottura drain-source Rds On - Drain-source sulla resistenza Frequenza di lavoro Guadagno Potenza di uscita Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Stile di montaggio Package/involucro Confezione
Ampleon Transistor RF MOSFET BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
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N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistor RF MOSFET BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
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N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistor RF MOSFET BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
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N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistor RF MOSFET BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
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N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray