Transistor RF MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Vds - Tensione di rottura drain-source
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
Ampleon Transistor RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 100
Mult.: 100
Nastrati: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon Transistor RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray