Analog Devices / Maxim Integrated Transistor RF bipolari

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Serie
Tipo di transistor
Tecnologia
Polarità transistor
Frequenza di lavoro
Collettore DC/Guadagno base hfe Min
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione emettitore-base VEBO
Corrente continua collettore
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Configurazione
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
Analog Devices / Maxim Integrated Transistor RF bipolari 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Scheda dati
202A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistor RF bipolari 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Scheda dati
179A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistor RF bipolari 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated Transistor RF bipolari 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel