STMicroelectronics Transistor RF MOSFET

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor Tecnologia Id - corrente di drain continua Vds - Tensione di rottura drain-source Frequenza di lavoro Guadagno Potenza di uscita Temperatura di lavoro massima Stile di montaggio Package/involucro Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
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N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
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Mult.: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk