STMicroelectronics Transistor RF MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Vds - Tensione di rottura drain-source
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 300
Mult.: 300
Nastrati: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 300
Mult.: 300
Nastrati: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 300
Mult.: 300
Nastrati: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel