STMicroelectronics Transistor RF MOSFET

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor Tecnologia Id - corrente di drain continua Vds - Tensione di rottura drain-source Rds On - Drain-source sulla resistenza Frequenza di lavoro Guadagno Potenza di uscita Temperatura di lavoro massima Stile di montaggio Package/involucro Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
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N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
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Mult.: 1
Nastrati: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel