STMicroelectronics Transistor RF MOSFET

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Vds - Tensione di rottura drain-source
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 160
Mult.: 160
Nastrati: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 160
Mult.: 160
Nastrati: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel