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LMG3522R030RQSR

Name: Texas Instruments LMG3522R030RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R030RQSR
Price: 11.36 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

595-LMG3522R030RQSR

N. produttore:

LMG3522R030RQSR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Scheda dati:

LMG3522R030RQSR Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
Prodotto:	Driver ICs - Various
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VQFN-52
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	7.5 V
Tensione di alimentazione - Max.:	18 V
Configurazione:	Non-Inverting
Tempo di salita:	4.3 ns
Tempo di caduta:	22 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG3522R030
Confezione:	Reel
Marchio:	Texas Instruments
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	Not Available
Caratteristiche:	Robust Protection
Ritardo di spegnimento massimo:	69 ns
Ritardo di accensione massimo:	54 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	15.5 mA
Tensione di uscita:	5 V
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	26 mOhms
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V 30 mΩ

I FET GaN LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 da 650 V e 30 mΩ di Texas Instruments includono un driver integrato e una protezione per i convertitori di potenza in modalità commutazione. Il LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150V/ns. Il dispositivo implementa la polarizzione integrata di precisione del gate di TI, con conseguente SOA di commutazione superiore rispetto ai driver di porta in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il package a bassa induttanza di TI ’, fornisce commutazione pulita e riverbero minimo nelle topologie di alimentazione hard-switching. Una forza gate drive regolabile consente il controllo di velocità di risposta da 20V/ns a 150V/ns che può essere utilizzato per controllo EMI e ottimizzare le prestazioni di commutazione attivamente.