Power Inductors

EPCOS / TDK Power Inductors have a variety of features and benefits, including a temperature range of up to +150°C, high rated current, low DC resistance, a ferrite core construction, suitability for lead-free reflow soldering, AEC-Q200 qualification, RoHS compliance, wide inductance value range, and more. These power inductors are utilized in many applications, including multimedia, automotive electronics, industrial electronics, consumer electronics, DC/DC converters, telecommunications, and more.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori di potenza - SMD 330uH 0.8ohms 0.5A 20% AEC-Q200
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607A magazzino
4.00016/03/2026 previsto
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330 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 47uH 0.13ohms 1.26A 20% AEC-Q200
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1.535A magazzino
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47 uH 20 % 1.6 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 6.8uH 0.022ohms 3.1A 30% AEC-Q200
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2.402A magazzino
1.00030/03/2026 previsto
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6.8 uH 30 % 4.1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 70nH 20% 0.77mOhm 52A AEC-Q200
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563A magazzino
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70 nH 20 % 34 A SMD/SMT + 155 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 2012 0.47uH 20% 2MHz AEC-Q200
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3.722A magazzino
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470 nH 20 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 1uH .12ohm 1100mA 2016 AEC-Q200
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4.447A magazzino
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1 uH 20 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 1.5uH .15ohm 1000mA 2016 AEC-Q200
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3.227A magazzino
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1.5 uH 20 % 1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 2.2uH .17ohm 900mA 2016 AEC-Q200
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1.770A magazzino
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2.2 uH 20 % 900 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 4.7uH .25ohm 750mA 2016 AEC-Q200
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2.484A magazzino
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4.7 uH 20 % 750 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +125 degC, 700mA, 1 H, 390mO
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4.589A magazzino
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1 uH 20 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.6mm, -40 to +125 degC, 700mA, 1 H, 390mO
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3.982A magazzino
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1 uH 20 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2.2 UH 20%
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6.693A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +125 degC, 800mA, 0.47 H, 260mO
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296A magazzino
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470 nH 20 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.6mm, -40 to +125 degC, 800mA, 0.47 H, 286mO
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4.655A magazzino
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470 nH 20 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 1100mA, 1 H, 156mO
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4.332A magazzino
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1 uH 20 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 1100mA, 1.5 H, 156mO
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5.480A magazzino
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1.5 uH 20 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 1300mA, 0.47 H, 91mO
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2.400A magazzino
4.00024/02/2026 previsto
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470 nH 20 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 1300mA, 0.54 H, 84.5mO
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2.738A magazzino
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540 nH 20 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 1 UH 20%
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6.391A magazzino
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1 uH 20 % 1 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 1000mA, 1.5 H, 208mO
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7.503A magazzino
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1.5 uH 20 % 1 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.5mm, -40 to +125 degC, 600mA, 2.2 H, 429mO
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1.018A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 3.3 UH 20%
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4.394A magazzino
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3.3 uH 20 % 900 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 700mA, 4.7 H, 338mO
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13.106A magazzino
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4.7 uH 20 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.5mm, -40 to +125 degC, 1200mA, 0.82 H, 169mO
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12.008A magazzino
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820 nH 20 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -40 to +125 degC, 900mA, 1 H, 260mO
Scheda dati
6.521A magazzino
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1 uH 20 % 900 mA SMD/SMT + 125 C