Fastron 0805AS Serie Induttori, valvole e bobine

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
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Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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1 uH 10 % 180 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 2%
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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1.2 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 2%
Scheda dati
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Min: 7.500
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1.2 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 2%
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000
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1.2 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 5%
Scheda dati
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Min: 2.500
Mult.: 2.500
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1.2 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 5%
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Non disponibile a magazzino
Min: 7.500
Mult.: 7.500
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1.2 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1200nH; Tol: 5%
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Min: 1.000
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1.2 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 7.500
Mult.: 7.500
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1.2 uH 10 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
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1.2 uH 10 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 2%
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 2.500
Mult.: 2.500
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1.5 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 2%
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Min: 7.500
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1.5 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 2%
Scheda dati
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Min: 1.000
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1.5 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 5%
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Min: 2.500
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1.5 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 5%
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Min: 7.500
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1.5 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1500nH; Tol: 5%
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1.5 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 7.500
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1.5 uH 10 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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1.5 uH 10 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 2%
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Min: 2.500
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1.8 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 2%
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Min: 7.500
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1.8 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 2%
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1.8 uH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 5%
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Min: 2.500
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1.8 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 5%
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1.8 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 1800nH; Tol: 5%
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Min: 1.000
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1.8 uH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 7.500
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1.8 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Nastrati: 1.000

1.8 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200