Fastron 0603AQ Serie Induttori, valvole e bobine

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
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Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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34 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 42nH; Tol: 2%
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Non disponibile a magazzino
Min: 4.000
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42 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 42nH; Tol: 2%
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Min: 15.000
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42 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 42nH; Tol: 2%
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Min: 1.000
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42 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 15.000
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42 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
Scheda dati
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42 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 47nH; Tol: 2%
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47 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 47nH; Tol: 2%
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Min: 15.000
Mult.: 15.000
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47 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 47nH; Tol: 2%
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Min: 1.000
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47 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 15.000
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47 nH 5 % 570 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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47 nH 5 % 570 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 56nH; Tol: 2%
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56 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 56nH; Tol: 2%
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Min: 15.000
Mult.: 15.000
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56 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 56nH; Tol: 2%
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56 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 15.000
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56 nH 5 % 440 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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56 nH 5 % 440 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 2%
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Min: 4.000
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1.15 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 2%
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Min: 15.000
Mult.: 15.000
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1.15 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 2%
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Min: 1.000
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1.15 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 5%
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1.15 nH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 5%
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Min: 15.000
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1.15 nH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 1.15nH; Tol: 5%
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1.15 nH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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Min: 15.000
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1.15 nH 20 % 3.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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1.15 nH 20 % 3.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open) Exceptionally High Q; 2.6nH; Tol: 2%
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Min: 4.000
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Nastrati: 4.000

2.6 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200