Fastron 0805AS Serie Induttori, valvole e bobine

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 290nH; Tol: 2%
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290 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
Scheda dati
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Min: 7.500
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290 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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290 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 300nH; Tol: 2%
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300 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 300nH; Tol: 2%
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300 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 300nH; Tol: 2%
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300 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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300 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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300 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 310nH; Tol: 2%
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310 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 310nH; Tol: 2%
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310 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 310nH; Tol: 2%
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310 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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310 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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310 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 320nH; Tol: 2%
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320 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 320nH; Tol: 2%
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320 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 320nH; Tol: 2%
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320 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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320 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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320 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 330nH; Tol: 2%
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330 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 330nH; Tol: 2%
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330 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 330nH; Tol: 2%
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330 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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330 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Wire-wound Ceramic RF Chip Inductor
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330 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 340nH; Tol: 2%
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Min: 2.500
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340 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Induttori RF - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 340nH; Tol: 2%
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Nastrati: 7.500

340 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200