Ultime novità per Transistor RF JFET
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CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060D
04/19/2022
04/19/2022
Fornisce 28 dBm di potenza di uscita a P1dB, 12 dB di guadagno e aggiunta di potenza del 55% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 800 µm QPD2060D
04/19/2022
04/19/2022
Fornisce 29,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB e aggiunta di potenza del 56% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1200 µm QPD2060D
04/19/2022
04/19/2022
Fornisce 31 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB ed efficienza aggiunta di potenza del 57% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160D
04/19/2022
04/19/2022
Fornisce 32,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 10,4 dB e aggiunta di potenza del 63% a 1 dB.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018D
02/14/2022
02/14/2022
Utilizza il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D
02/14/2022
02/14/2022
Sviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 400 um QPD2040D
02/14/2022
02/14/2022
Progettata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
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