Infineon Ultime novità per MOSFET

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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12/19/2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
11/25/2025
Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11/25/2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
11/20/2025
Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
11/20/2025
Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
11/19/2025
MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
11/19/2025
MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
10/31/2025
Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
10/31/2025
Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
10/21/2025
Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.
Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
10/17/2025
Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
10/16/2025
MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.
onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P
onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P
10/14/2025
Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L
10/14/2025
Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.
IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class
IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class
10/08/2025
Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.
onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione
onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione
10/06/2025
MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .
Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V
Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V
10/02/2025
Offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N
09/30/2025
Transistori ad alta prestazione canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
09/29/2025
Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.
Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
09/09/2025
Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.
onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N
onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N
09/08/2025
Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
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