Ultime novità per Transistor

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Transistor

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = onsemi Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P

10/14/2025

- Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.

onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDC

10/13/2025

- Il dispositivo offre prestazioni ottimali con bassi livelli di perdita di conduzione e commutazione.

onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale N

10/13/2025

- Il dispositivo offre buone prestazioni, con bassa tensione in stato attivo e bassi livelli di perdita di commutazione.

onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione

10/06/2025

- MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .

onsemi Transistori resistore di polarizzione PNP NBSAMXW

09/09/2025

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la relativa rete esterna di polarizzione del resistore.

onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N

09/08/2025

- Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.

onsemi Transistori con resistenze di polarizzione NPN NSBCMXW

09/08/2025

- Progettato per sostituire un singolo dispositivo la relativa rete di polarizzazione del resistore esterno.

onsemi MOSFET di potenza singoli a canale P NxJS3151P

09/04/2025

- Ideali per progetti con vincoli di spazio in cui densità di potenza e affidabilità sono fondamentali.

onsemi Moduli inverter NPC a 3 livelli NXH600N10x

08/25/2025

- Moduli di potenza in F5BP contenenti un convertitore a tre livelli con punto neutro di tipo I.

onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V

08/08/2025

- Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre eccellenti prestazioni termiche e un basso RDS(on) in un compatto package PowerFLAT da 5 mm x 6 mm.

onsemi MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFDx da 100 V

06/09/2025

- Presenta valori di RDS(on) ridotti e caratteristiche di commutazione rapide in un package DFN-8 che consente di risparmiare spazio.

onsemi Modulo in carburo di silicio (SiC) NXH015F120M3F1PTG

05/23/2025

- Presenta un MOSFET SiC M3S a ponte intero da 15 mΩ/1200 V e un termistore con AI2O3 DBC in un package F1.

onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1

05/22/2025

- Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.

Visualizzazione: 1 - 25 di 188

Filtra per:

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

TDK-Lambda Moduli MOSFET ORing i1R

02/05/2026

- Dispositivi di potenza ad alta efficienza e a basse perdite progettati per sostituire i diodi tradizionali.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

Visualizzazione: 1 - 25 di 638

Tipi di Transistor

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza