Ultime novità per Moduli discreti e di potenza

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Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
06/12/2026
Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.
Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™
Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™
05/06/2026
I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
04/10/2026
I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.
Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V
Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V
04/02/2026
Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
03/17/2026
Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.
Infineon Technologies Moduli MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench
Infineon Technologies Moduli MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench
10/09/2025
Dotata della tecnologia di contatto PressFIT e di un sensore di temperatura NTC integrato.
Wolfspeed Moduli di potenza a singolo interruttore TM
Wolfspeed Moduli di potenza a singolo interruttore TM
10/01/2025
I dispositivi sono moduli di potenza a singolo interruttore qualificati per l'industria automobilistica con un ingombro conforme agli standard del settore.
STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA
09/26/2025
Dispone di una topologia trifase PFC 4-wire con NTC integrato per l'OBC in veicoli elettrici e ibridi.
STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2P45M12W2-1LA
STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2P45M12W2-1LA
09/26/2025
Offre una topologia a sei pacchetti con NTC per lo stadio del convertitore CC/CC del caricatore a bordo dei veicoli elettrici.
onsemi Moduli inverter NPC a 3 livelli NXH600N10x
onsemi Moduli inverter NPC a 3 livelli NXH600N10x
08/25/2025
Moduli di potenza in F5BP contenenti un convertitore a tre livelli con punto neutro di tipo I.
SemiQ Moduli di potenza MOSFET SiC GEN3 1.200 V
SemiQ Moduli di potenza MOSFET SiC GEN3 1.200 V
08/11/2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Infineon Technologies Moduli HybridPACK™ DSC S con MOSFET SiC e NTC
Infineon Technologies Moduli HybridPACK™ DSC S con MOSFET SiC e NTC
07/22/2025
Moduli di potenza ad alte prestazioni per applicazioni per il settore automobilistico esigente.
Infineon Technologies Moduli IGBT 7 TRENCHSTOP™ EconoPACK™ 3
Infineon Technologies Moduli IGBT 7 TRENCHSTOP™ EconoPACK™ 3
07/01/2025
In combinazione con diodi SCHOTTKY CoolSiC™ e un NTC integrato per un monitoraggio termico affidabile.  
onsemi Moduli di potenza intelligenti NFAM (IPM)
onsemi Moduli di potenza intelligenti NFAM (IPM)
06/23/2025
Soluzioni compatte e altamente integrate progettate per controllo del motore efficiente e affidabile.
onsemi Modulo in carburo di silicio (SiC) NXH015F120M3F1PTG
onsemi Modulo in carburo di silicio (SiC) NXH015F120M3F1PTG
05/23/2025
Presenta un MOSFET SiC M3S a ponte intero da 15 mΩ/1200 V e un termistore con AI2O3 DBC in un package F1.
Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio YM Six-Pack
Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio YM Six-Pack
05/14/2025
Moduli qualificati per il settore automobilistico progettati per garantire una perfetta integrazione nel design e una lunga durata.
Infineon Technologies Moduli IGBT7 TRENCHSTOP serie C da 62 mm
Infineon Technologies Moduli IGBT7 TRENCHSTOP serie C da 62 mm
04/01/2025
Offrono alta densità di potenza e un coefficiente di temperatura positivo per applicazioni industriali.
IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB
IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB
03/25/2025
140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.
Vishay Moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK
Vishay Moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK
03/17/2025
Progettati per aumentare l'efficienza e l'affidabilità per applicazioni a media-alta frequenza.
Vishay MOSFET di potenza in carburo di silicio a commutazione singola serie VS-VF
Vishay MOSFET di potenza in carburo di silicio a commutazione singola serie VS-VF
03/17/2025
MOSFET SiC ad alte prestazioni, ideali per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
02/20/2025
Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.
IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4
IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4
11/28/2024
Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.
Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio da 2.300 V
Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio da 2.300 V
10/08/2024
Questi dispositivi sono moduli di potenza in carburo di silicio senza piastra di base da 2.300 V per applicazioni V-bus 1.500 V.
onsemi Moduli al carburo di silicio (SiC) NXH0xxP120M3F1
onsemi Moduli al carburo di silicio (SiC) NXH0xxP120M3F1
08/28/2024
Contiene MOSFET 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ e 30 mΩ/ 1200 V M3S basati sulla topologia a mezzo ponte.
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