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Texas Instruments Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

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Texas Instruments Diodi TVS unidirezionali TSDx-Q1

10/10/2025

- Progettato per applicazioni per il settore automobilistico per bloccare transienti dannosi come ESD e sovratensione.

Texas Instruments Diodi Zener ad anodo comune MMBZxxVAL-Q1

08/21/2025

- ESD unidirezionali a doppio canale o bidirezionale a canale singolo in una configurazione ad anodo comune.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1

03/18/2025

- Diodo di protezione ESD bidirezionale a doppio canale o a canale singolo in configurazione a catodo comune.

Texas Instruments Diodo ESD a bassa capacità elettrica ESD501/ESD501-Q1

03/18/2025

- Il dispositivo è disponibile in un package standard di settore 0402 e fornisce un livello di protezione IEC 61000-4-2 di 15 kV.

Texas Instruments Diodi regolatori di tensione Zener BZX84Cx/BZX84Cx-Q1

03/11/2025

- Questi dispositivi offrono una dissipazione di potenza totale di 250 mW (max.) e una tolleranza di ±5%.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD ESD801/ESD801-Q1

01/29/2025

- Disponibile nel package 0402 standard del settore e fornisce un livello di protezione IEC 61000-4-2 di 15 kV.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD701/ESD701-Q1

01/29/2025

- Disponibile nel package 0402 standard del settore e fornisce un livello di protezione IEC 61000-4-2 di 15 kV.

Texas Instruments Diodi TVS bidirezionali TSDxxC/TSDxxC-Q

12/23/2024

- Questi dispositivi sono progettati per limitare le sovratensioni dannose come l'ESD e la sovratensione.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD601/ESD601-Q1

11/05/2024

- Disponibile in un package 0402 standard del settore e fornisce un livello di protezione IEC 61000-4-2 di 15 kV.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD ESD851/ESD851-Q1

11/05/2024

- Questo dispositivo è progettato per bloccare transienti dannosi come scariche elettrostatiche (ESD) e sovratensione.

Texas Instruments Diodo di protezione TVS bidirezionale TSM36CA 36 V

09/17/2024

- Il dispositivo è progettato per bloccare i transitori dannosi come ESD e sovratensioni.

Texas Instruments Diodi TVS e ESD bidirezionali ESDS452/ESDS452-Q1

06/17/2024

- Classificati come dissipanti le scariche ESD al contatto al contatto oltre il livello massimo specificato nella norma IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD652/ESD652-Q1

05/07/2024

- Diodi bidirezionali a 2 canali, disponibili in un piccolo package con piombo SOT-23 (DBZ).

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD2CANx-Q1

05/06/2024

- Diodi bidirezionali a 2 canali per il settore Automotive,per la protezione dell'interfaccia controller area rete (CAN).

Texas Instruments Diodo di protezione ESD ESD562/ESD562-Q1

04/23/2024

- Valutato per dissipare scariche ESD oltre il livello massimo specificato nella standard IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD/sovratensione bidirezionale ESDS552

04/23/2024

- Destinato a dissipare i colpi ESD oltre il livello massimo specificato nello standard IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diodo di protezione da sovratensione unidirezionale TSM24B

12/19/2023

- Questo dispositivo devia in modo efficace fino a 20 A di corrente di guasto IEC 61000-4-5.

Texas Instruments Diodo TVS unidirezionale 24 V TSM24A/TSM24A-Q1

11/13/2023

- Corrente di guasto fino a 60 A secondo IEC 61000-4-5 per proteggere transitori ad alta energia o fulmini.

Texas Instruments Diodo TVS bidirezionale 24 VTSM24CA/TSM24CA-Q1

11/13/2023

- Corrente di guasto secondo IEC 61000-4-5 fino a 30 A per proteggere da fulmini o transitori ad alta energia.

Texas Instruments Dispositivi di protezione dalle sovratensioni TSD05/TSD05C/TSD36C

09/19/2023

- Questi dispositivi sono progettati per bloccare i transitori dannosi come ESD e sovratensioni.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD ESD451 ±30 kV

08/10/2023

- Un diodo di protezione ESD bidirezionale per la protezione di linee dati e altre porte I/O.

Texas Instruments Dispositivo di protezione ESD ESD441 ±30 kV

08/10/2023

- Un diodo di protezione ESD unidirezionale per la protezione di linee dati e altre porte I/O.

Texas Instruments Diodo di protezione ESD ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1

02/09/2023

- Dispositivo di protezione ESD bidirezionale a bassa capacità a 1 canale per rete di interconnessione locale (LIN).

Texas Instruments Matrice Darlington a 8 canali da 50 V a 500 mA ULN2803C

02/06/2023

- Presenta uscite ad alta tensione con diodi a morsetto a catodo comune per carichi induttivi di commutazione.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD751/Q1 e ESD761/Q1 - TI | Mouser

02/02/2023

- Dispositivi di protezione ESD bidirezionali a bassa capacità a canale singolo per l'alimentazione USB (USB-PD).

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Vishay Raddrizzatori SMD SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02/10/2026

- Questi dispositivi sono disponibili in un package a basso profilo con un'altezza tipica di soli 0,88 mm.

Littelfuse Tiristore singolo CMA160E1600HF

02/06/2026

- 160 A ad alte prestazioni, 1.600 V, con una struttura di chip planare passivata in un package PLUS247.

TDK-Lambda Moduli MOSFET ORing i1R

02/05/2026

- Dispositivi di potenza ad alta efficienza e a basse perdite progettati per sostituire i diodi tradizionali.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

02/03/2026

- Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01/20/2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Littelfuse Diodi ad alta affidabilità SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Proteggono le interfacce I/O, il bus VCC e altri circuiti in applicazioni di avionica, aeronautica e eVTOL.

Littelfuse Diodi TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Forniscono una capacità elettrica ultra bassa, bidirezionale e un alto livello di protezione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

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