Filtri applicati:
Littelfuse Tiristore singolo CMA160E1600HF
02/06/2026
02/06/2026
160 A ad alte prestazioni, 1.600 V, con una struttura di chip planare passivata in un package PLUS247.
Littelfuse Diodi ad alta affidabilità SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA
01/13/2026
01/13/2026
Proteggono le interfacce I/O, il bus VCC e altri circuiti in applicazioni di avionica, aeronautica e eVTOL.
Littelfuse Diodi TVS SP432x-01WTG
01/08/2026
01/08/2026
Forniscono una capacità elettrica ultra bassa, bidirezionale e un alto livello di protezione.
Littelfuse Serie di diodi TVS a bassa capacità AQ3118-02JTG
11/12/2025
11/12/2025
2-ch protection against ESD and surges, 0.3pF I/O-to-I/O capacitance and 50nA leakage current @ 18V.
Littelfuse Diodo TVS bidirezionale AQ4324-01ETG
10/22/2025
10/22/2025
Provides high protection for single-channel electronic equipment susceptible to destructive ESD.
Littelfuse Diodi TVS automotive SZSMF6L
08/29/2025
08/29/2025
Protegge le interfacce I/O, il bus VCC & altri circuiti vulnerabili nelle applicazioni elettroniche per auto.
Littelfuse Soluzioni per l'ecosistema dei dispositivi connessi per la somministrazione dei farmaci
07/11/2025
07/11/2025
Ampio portafoglio di prodotti utilizzati per costruire e migliorare i sistemi di somministrazione dei farmaci.
Littelfuse MOSFET di potenza SiC IXSJxN120R1 da 1.200 V
06/23/2025
06/23/2025
Dispositivi ad alte prestazioni progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Littelfuse Diodi TVS DFNAK3
06/23/2025
06/23/2025
Offrono una corrente di picco di 3 kA e conformità alla norma IEC 61000-4-5 in un package compatto a montaggio superficiale.
Littelfuse Diodo TVS SC1230-01UTG
06/04/2025
06/04/2025
22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.
Littelfuse Diodo TVS SC1122-01ETG
06/04/2025
06/04/2025
Diodo TVS unidirezionale discreto da 22 V, 60 pF, 9 A, che fornisce una protezione ESD per uso generale.
Littelfuse Diodi TVS 5.0SMDJ-FB
05/21/2025
05/21/2025
Designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transient events.
Littelfuse Tiristore SIDACtor Px0S3H ad alta corrente di sovraccarico
05/02/2025
05/02/2025
Progettato per fornire una robusta protezione da sovratensione in ambienti ad alta esposizione.
Littelfuse LX5 TRIAC a cancello sensibile 0,5 A
04/25/2025
04/25/2025
Un bidirezionale interruttore serie a stato solido che offre un interfaccia diretto ai driver del microprocessore.
Littelfuse Tiristori SCR Sxx30x
04/09/2025
04/09/2025
Per applicazioni quali relè a stato solido, utensili elettrici industriali e controllo di motori ad alta potenza.
Littelfuse Tiristori di protezione SIDACtor® Pxx00S3G-A
01/28/2025
01/28/2025
Progettati per proteggere le linee elettriche CA situate in ambienti ostili dai transitori di sovratensione.
Littelfuse Diodi TVS a bassissima tensione SMF
01/20/2025
01/20/2025
Progettato per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transitori di tensione indotti dai fulmini.
Littelfuse Soluzioni per gruppo propulsore xEV
01/07/2025
01/07/2025
Ampio portafoglio di soluzioni per gruppo propulsore xEV adatte agli ambienti del settore automobilistico.
Littelfuse Diodi TVS asimmetrici TPSMB
12/06/2024
12/06/2024
Progettati per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transitori di tensione causati dai fulmini.
Littelfuse Diodi TVS per il settore automobilistico TPSMB-L
12/02/2024
12/02/2024
I diodi presentano una capacità di dissipazione di potenza di picco a impulsi di 600 W con forma d'onda 10/1000 μs.
Littelfuse Diodo TVS bidirezionale AQ1205-01LTG
11/28/2024
11/28/2024
Progettato utilizzando una tecnologia proprietaria al silicio a valanga e offre un'elevata protezione ESD.
Littelfuse Diodi a barriera Schottky SIC LSIC2SD065D40CC
11/18/2024
11/18/2024
Tempo di commutazione estremamente breve e comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura.
Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA® AQx-01FLTG
09/30/2024
09/30/2024
La tecnologia proprietaria a valanga di silicio protegge le apparecchiature elettroniche dalle scariche elettrostatiche.
Littelfuse Diodi TVS a montaggio superficiale SM8S
08/26/2024
08/26/2024
Il package SMTO-263 con modifiche dei cavi e un basso profilo riduce al minimo l’ingombro della PCB.
Littelfuse Diodo TVS bidirezionale AQ24ETH-02HTG
07/31/2024
07/31/2024
Conforme alle applicazioni ethernet 100/1000 BASE-T1 di OPEN Alliance e ad altre applicazioni di rete dati ad alta velocità.
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Littelfuse Tiristore singolo CMA160E1600HF
02/06/2026
02/06/2026
160 A ad alte prestazioni, 1.600 V, con una struttura di chip planare passivata in un package PLUS247.
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio
02/03/2026
02/03/2026
Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP
01/20/2026
01/20/2026
Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
Littelfuse Diodi ad alta affidabilità SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA
01/13/2026
01/13/2026
Proteggono le interfacce I/O, il bus VCC e altri circuiti in applicazioni di avionica, aeronautica e eVTOL.
Littelfuse Diodi TVS SP432x-01WTG
01/08/2026
01/08/2026
Forniscono una capacità elettrica ultra bassa, bidirezionale e un alto livello di protezione.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12/19/2025
12/19/2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12/19/2025
12/19/2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12/04/2025
12/04/2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
12/01/2025
12/01/2025
Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11/25/2025
11/25/2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
11/25/2025
11/25/2025
Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
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