SemiQ Ultime novità per Semiconduttori discreti
Tipi di Semiconduttori discreti
SemiQ Moduli di potenza MOSFET SiC GEN3 1.200 V
08/11/2025
08/11/2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
SemiQ Dispositivi discreti MOSFET SiC GEN3 1.200 V
01/02/2025
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
SemiQ Diodo Schottky SiC 1700 V QSiC™ GP3D050B170B
08/26/2024
08/26/2024
Disponibile in un package TO-247-2L progettato per soddisfare le esigenze di potenza e dimensioni in una vasta gamma di applicazioni.
SemiQ Moduli a mezzo ponte MOSFET SiC 1.200 V GCMX
03/21/2024
03/21/2024
Basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio semplice e robusto.
SemiQ Moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1.200 V
03/21/2024
03/21/2024
Ideale per inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11/15/2023
11/15/2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03/09/2023
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03/09/2023
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07/28/2022
07/28/2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Littelfuse Diodo di protezione ESD SC3402-02ETG
02/23/2026
02/23/2026
Diodo di protezione ESD a bassissima capacità progettato per proteggere le interfacce dati ad alta velocità.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02/19/2026
02/19/2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Semtech IC di protezione EOS TDS5311P SurgeSwitch™ 1 linea 53 V EOS
02/18/2026
02/18/2026
Fornisce una protezione EOS ad alta energia con caratteristiche di temperatura e di limitazione superiori.
Vishay Raddrizzatori ad alta tensione SMD SE45124/SE50124
02/17/2026
02/17/2026
Questi dispositivi offrono un'eccellente dissipazione termica e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.
Vishay Raddrizzatore a ponte monofase in linea KBPE0480
02/16/2026
02/16/2026
Questi dispositivi presentano una bassa caduta di tensione diretta e sono disponibili nel package KBP.
Vishay Raddrizzatori SMD SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6
02/10/2026
02/10/2026
Questi dispositivi sono disponibili in un package a basso profilo con un'altezza tipica di soli 0,88 mm.
Littelfuse Tiristore singolo CMA160E1600HF
02/06/2026
02/06/2026
Dispositivo ad alte prestazioni da 160 A, 1.600 V con struttura del chip passivata piana nel package PLUS247.
TDK-Lambda Moduli MOSFET ORing i1R
02/05/2026
02/05/2026
Dispositivi di potenza ad alta efficienza e a basse perdite progettati per sostituire i diodi tradizionali.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio
02/03/2026
02/03/2026
Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
02/03/2026
Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
02/02/2026
02/02/2026
Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP
01/20/2026
01/20/2026
Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Littelfuse Diodi ad alta affidabilità SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA
01/13/2026
01/13/2026
Proteggono le interfacce I/O, il bus VCC e altri circuiti in applicazioni di avionica, aeronautica e eVTOL.
Littelfuse Diodi TVS SP432x-01WTG
01/08/2026
01/08/2026
Forniscono una capacità elettrica ultra bassa, bidirezionale e un alto livello di protezione.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
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