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IXYS Ultime novità per Semiconduttori

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Tipi di Semiconduttori

Elenco Immagini

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IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01/20/2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10/08/2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].

IXYS Driver di gate di lato basso IX4352NEAU

09/04/2025

- Progettato specificamente per pilotare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza.

IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V

08/27/2025

- Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.

IXYS Driver di gate a singolo canale isolato IX3407B

06/30/2025

- Provides a typical 7A peak source and sink output current on separate output pins.

IXYS Raddrizzatori per il settore automobilistico in silicio serie Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Gate driver IXD0579M

04/03/2025

- Gate driver high-side e low-side ad alta frequenza da 100 V con diodo di bootstrap integrato.

IXYS Diodi SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Presentano un funzionamento ad alta frequenza e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.

IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET di potenza IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET di potenza IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET di potenza IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS Gate driver IXD2012N

02/18/2025

- High-side and low-side high-speed gate driver switches up to 200V in bootstrap operation.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.

IXYS Due diodi a recupero rapido da 50 A, 1.200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Due diodi di commutazione di potenza per uso generale in configurazione a catodo comune e un pacchetto TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offre una tensione nominale di 650 V, un intervallo di corrente da 35 A a 220 A e una carica di gate bassa.

IXYS Raddrizzatore a ponte trifase DPF30U200FC 200 V 30 A

07/22/2024

- Questo dispositivo è comunemente utilizzato come raddrizzatore negli alimentatori a commutazione (SMPS).

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Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers

08/06/2026

- 32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.

Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards

08/06/2026

- Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.

Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board

08/06/2026

- Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.

Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22215

08/04/2026

- Progettata per valutare il MAX22215 in combinazione con il sistema di schede di valutazione TRINAMIC.

Texas Instruments Modulo di valutazione ISO7741U

08/04/2026

- Modulo di valutazione quad-canale isolato galvanicamente in un package SSOP ultra-wide (DUW-16).

Texas Instruments Modulo di valutazione TPS25752A

08/04/2026

- Supporta applicazioni USB Type-C ® a porta singola e Power Delivery (PD) in modalità solo sorgente.

NXP Semiconductors Scheda di sviluppo FRDM i.MX 95 Pro

08/04/2026

- Valuta il processore applicativo i.MX 95 in un contenitore compatto da 19 mm x 19 mm.

Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules

08/04/2026

- Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.

Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM

08/04/2026

- A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.

Analog Devices Inc. Interruttore high-side ottale industriale MAX22915

08/04/2026

- ADC integrato a 7 bit per monitorare la temperatura del chip, la corrente di uscita per canale o la tensione di alimentazione VDD.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08/04/2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22915EVKIT

08/04/2026

- Una progettazione collaudata per la valutazione del MAX22915, un commutatore ad alto rendimento a 8 canali con diagnostica avanzata.

Würth Elektronik Fotoaccoppiatori ad alta velocità WL-OCHS

08/04/2026

- Offrono una velocità di trasmissione molto elevata, operando nell'ordine da MHz a Mbit/s.

Texas Instruments Modulo di valutazione BQ25640EVM

08/03/2026

- Sistema di valutazione completo per il circuito integrato BQ25640, caricabatterie a singola cella a commutazione.

Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters

08/03/2026

- Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.

NXP Semiconductors Ricetrasmettitori CAN dual ad alta velocità TJA1046

07/30/2026

- Due ricetrasmettitori CAN ad alta velocità con modalità standby e supporto CAN FD.

STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965C-L/EVL99BM2C-L

07/30/2026

- Schede promozionali per monitorare corrente, carica e isolamento di L9965C-L/L99BM2C-L.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

Infineon Technologies Scheda di valutazione DEMO_HV_PACKAGE

07/30/2026

- Scopri i package ad alta tensione con CoolSiC™ e CoolMOS™ per prestazioni di alimentazione efficienti e affidabile.

STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN

07/30/2026

- Fornisce all'utente una piattaforma per valutare i dispositivi L9965P/L99BM2P in package QFN.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965A/EVL99BM218

07/30/2026

- Schede promozionali per i dispositivi L9965A/L99BM218 nei sistemi di gestione della batteria.

STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965T/EVL99BM2T

07/30/2026

- Queste schede promozionali integrano il ricetrasmettitore BMS L9965T o L99BM2T in un sistema BMS.

Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters

07/29/2026

- Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.

STMicroelectronics Driver per motori CC a semiponte AEK-MOT-8DCMH98

07/28/2026

- Progettato per pilotare otto canali configurabili in modalità a semiponte o quattro canali in modalità a ponte completo.

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